Персоналії (Н - Р)
(25.02.1936, Донецьк. обл.), доктор техн. наук, професор, член-кореспондент НАН України, завідувач відділу електронно-променевого зварювання інституту електрозварю-вання ім. Є.О. Патона НАН України
У 1958 р. закінчив радіофізичний факультет Київського державного університету імені Тараса Шевченка.
Після закінчення університету одержав призначення працювати на кафедрі електроніки радіофізичного факультету. Через рік отримав пропозицію від Бориса Євгеновича Патона перейти на роботу до Інституту електрозварювання і займатися безпосередньо зварюванням у вакуумі з допомогою потужних електронних променів. Так з 1959 р. О.К. Назаренко працює в Інституті електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України.
Уся трудова діяльність О.К. Назаренко присвячена: 1) дослідженню явищ, які протікають при взаємодії металу з висококонцентрованим електронним променем; 2) питанням формування потужних електронних променів; 3) створенню електронних гармат та їх джерел живлення; 4) розробці принципів побудови устаткування для електронно - променевого зварювання.
Результатами виконаних досліджень стали розробка принципів автоматичного спрямування електронного променя уздовж стику, що зварюється і створення відповідної системи, яка використовує вторинно-електронну емісію з зони зварювання як джерело інформації. Розроблено фізико–технічне обгрунтування можливості уникнення дефектів в зварних з’єднаннях при пробоях в електронній гарматі шляхом короткочасного зняття прискорюючої напруги. На цій основі створені досконалі джерела живлення.
О.К. Назаренко має більш ніж 300 публікацій, в тому числі монографій та патентів. За сумлінну працю нагороджений орденом «Трудового червоного прапора» (1972) та Почесною грамотою Президії Верховної Ради УРСР (1984). Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки.
В житті керується висловом «Критерій істини – експеримент».
Такий підхід до справи дозволив О.К. Назаренко і очолюваному ним відділу створити конкурентноздатні на світовому рівні технології та устаткування для електронно-променевого зварювання, що гідно представляють Україну в багатьох країнах світу.
(1951 р.н.), доктор фіз.-мат. наук, професор
Закінчив з відзнакою факультет електронної техніки Київського політехнічного інституту за спеціальністю «Діелектрики та напівпровідники». У 1975 р. Захистив докторську дисертацію за спеціальністю «фізика напівпровідників та діелектриків» в Інституті фізики напівпровідників НАН України у 1993 р. (тема «Процеси формування тонких діелектричних та приповерхневих напівпровідникових шарів у кремнієвих структурах під час нерівноважних впливів»), професор за спеціальністю «фізика напівпровідників та діелектриків», автор 6 монографій з наноелектроніки (такі як "Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices" Springer 2007; "Semiconductor-on-Insulator Materials for Nanoelectronics Application", Springer 2011), понад 170 наукових праць і 6 авторських свідоцтв. Головні роботи опубліковані в таких журналах, як Physical Review, Journal of Applied Physics, Applied Physical Letters та інші. лауреат Державної премії України з електроніки за 2006 рік, член електрохімічного товариства США, старший член (senior member) міжнародного товариства інженерів електронної техніки (IEEE) США, керівник ряду науково-технічних проектів з США, Бельгією, Німеччиною, Францією, Іспанією; організатор міжнародних семінарів НАТО і конференцій з питань виготовлення, дослідження і використання нанорозмірних систем напівпровідник на ізоляторі; організатор симпозіуму Європейського матеріалознавського товариства (EMRS) «Аморфні наноструктуровані матеріали» (Польща), член оргкомітету міжнародної конференції «Аморфні напівпровідники» (Росія). Член спеціалізованих вчених рад з питань захисту кандидатських і докторських дисертацій Київського національного університету ім. Тараса Шевченка та Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України. З 2000 по 2002 р. працював професором кафедри прикладної фізики Фізико-технічного інституту НТУУ «КПІ» за сумісництвом, з 2008 р. по теперішній час – професором кафедри фізичної електроніки радіофізичного факультету КНУ ім. Тараса Шевченка. Викладає курс «Елементи наноелектронних технологій».
(02.01.1936, с. Рудка, Пінськ. р-ну, Брест. обл., Білорусь), доктор фіз.-мат. наук, професор, академік НАН України, віце-президент НАН України
Закінчив з відзнакою радіофізичний факультет у 1957 р.
З цього часу безперервно працює в Інституті фізики НАН України. У 1959-63 рp. навчався в аспірантурі під керівництвом чл.-кор. АН УРСР Н.Д. Моргуліса. Кандидатську дисертацію захистив у 1964 р., докторську – в 1973 p. Професор з 1984 р., у 1990 р. обрано членом-кореспондентом, а в 1997 р. – академіком НАН України.
З 1981 р. очолює відділ фізичної електроніки Інституту фізики НАНУ. В 1993–98 рp. був заступником академіка-секретаря Відділення фізики і астрономії НАНУ, в 1998 р. обраний академіком-секретарем , з 2004 р. – віце-президент НАНУ, голова Секції фізико-тенічних і математичних наук НАНУ. Дійсний член Інституту фізики (Велика Британія) і Європейської академії наук, мистецтв та літератури (Париж).
Протягом 15 років був викладачем радіофізичного факультету, читав спецкурси з фізики поверхні твердих тіл.
Його основні наукові роботи присвячені атомній структурі і електронно-емісійним властивостям поверхонь, фазовим переходам на поверхнях твердих тіл, поверхневій дифузії, фізичним явищам у системах наночастинок. Одним із перших у світі почав систематичні дослідження адсорбційних явищ на поверхнях з відомою атомною структурою – гранях монокристалів, що дозволило з’ясувати особливості взаємодії атомів і молекул на поверхнях. Вперше виявив:
- дрейф адсорбованих частинок у неоднорідних електричних полях, напрямок якого залежить від знака поля і полярності адсорбційного зв’язку;
- широкий клас довгоперіодних поверхневих структур, існування яких засвідчило наявність далекосяжної взаємодії між адсорбованими частинками; фазові переходи першого роду (типу двовимірної конденсації) в адсорбованих плівках з відштовхувальною латеральною взаємодією, а також орієнтаційні фазові переходи у плівках, структура яких несумірна зі структурою підкладинки;
- електронно-стимульовану рухливість адсорбованих атомів;
- фазний характер поверхневої дифузії і зумовлену ним структурну самоорганізацію дифузійної зони;
- утворення двовимірних стекол при формуванні поверхневих сплавів.
Дослідив прояви поверхневих фазових переходів у фізико-хімічних властивостях поверхонь, експериментально обґрунтував існування солітонного механізму поверхневої дифузії адсорбованих атомів.
В останні роки очолюваний А.Г.Наумовцем відділ фізичної електроніки Інституту фізики НАНУ веде активні дослідження в галузі молекулярної наноелектроніки на основі моношарових плівок органічних сполук і в галузі нанотрибології.
А.Г.Наумовець є автором і співавтором понад 200 наукових робіт, у тому числі трьох монографій. Одна з них («Двумерные кристаллы».- Київ: Наукова думка, 1988., англійський переклад "Two-Dimensional Crystals", Academic Press, USA, 1992) є першою в світі монографією про двовимірні кристали на поверхнях твердих тіл. Він є головним редактором журналу «Доповіді НАН України», членом редколегій «Українського фізичного журналу» і «Вісника НАН України». Лауреат Державних премій СРСР і України, заслужений діяч науки і техніки України, почесний доктор Київського національного університету ім. Тараса Шевченка.
(25.01.1925, с. Прохорівка Драбівського р-ну Черкас. обл. - 03.07.2018), доктор фіз.-мат. наук, професор, академік НАН України
Весь трудовий шлях Находкіна М.Г. нерозривно пов’язаний з Київським університетом імені Тараса Шевченка. Після закінчення фізичного факультету в 1950 р. вступив до аспірантури, закінчив її і в 1954 р. захистив кандидатську дисертацію «Исследование вторичной эмиссии некоторых металлов и полупроводнков» (науковий керівник проф. Моргуліс Н.Д.). В 1966 р. захистив докторську дисертацію «Взаимодействие электронов и мягких рентгеновских лучей с веществом в тонком слое».
Вже в 1952 р. він починає працювати викладачем кафедри фізичної електроніки. В 1972 р. Находкін М.Г. заснував і очолив кафедру кріогенної та мікроелектроніки, якою керував протягом 26 років. В цьому ж році його було обрано деканом радіофізичного факультету, на чолі якого він перебував 19 років.
В 1973 р. Находкіна М.Г. було обрано членом-кореспондентом Академії наук УРСР, а в 1990 р. - дійсним членом АН України.
Протягом усіх років він читав курс загальної фізики «Атомна фізика», спецкурс «Фізичні основи мікроелектроніки». Читав спецкурси «Електрика», «Оптика», «Фізична електроніка» для кафедри фізики напівпровідників (спеціально розробив на прохання Лашкарьова В.Є.), «Розрахунок електронних лінз», «Електронна оптика», «Фізика тонких плівок».
Очолював наукову школу «Емісійна електроніка та електронна спектроскопія», напрями роботи якої охоплюють вивчення процесів взаємодії електронів та м’якого рентгенівського випромінювання з твердим тілом, вторинну електронну емісію, електронну спектроскопію, мас-спектрометрію, формування структури тонких плівок, термоемісію напівпровідників та оксидних катодів, тунельну скануючу мікроскопію та діагностику наноструктур. У 1962-95 рр. ним проводились роботи з вивчення фундаментальних закономірностей поверхневого масопереносу, кінетики електронних процесів на поверхні і в приповерхневих шарах твердих тіл. Були визначені відмінності кінетичних явищ та розкрита їх фізична природа на поверхні і в об’ємі твердого тіла.
За його ініціативою були організовані дві наукові лабораторії («Електронної спектроскопії» та «Оптичної обробки інформації та теорії середовищ»), спецкафедра, спецфакультет з функціональної електроніки та високотемпературної надпровідності з перепідготовки фахівців, кафедра медичної радіофізики, творчі колективи фізиків-науковців України, члени яких працювали над вирішенням проблеми «Фізико-хімічні, структурні та емісійні властивості тонких плівок і поверхні твердого тіла» та ін.
Приділяв велику увагу підготовці висококваліфікованих кадрів. Значне місце в діяльності Находкіна М.Г. займала робота з молодими науковцями як факультету, так і інших регіонів держав СНД. Серед його учнів 5 докторів та 29 кандидатів наук, лауреати Державних премій.
Заслуги Находкіна М.Г. відзначені орденом «Знак почета», медалями, Почесною Грамотою Президії Верховної Ради УРСР та Верховної Ради України (2002), Почесною грамотою Кабінету міністрів України (2004). В 1995 р. йому присвоєно звання «Заслужений діяч науки і техніки». В 1999 р. Находкіна М.Г. обрано «Заслуженим професором Київського національного університету імені Тараса Шевченка». Його ім’я надано малій планеті 8065 Nakhodkin=1979 FD3 (1989).
У 1970 р. став лауреатом Державної премії УРСР у галузі науки й техніки за цикл робіт, пов’язаний з термопластичним записом інформації. В 1997 р. одержав Державну премію в галузі науки й техніки за цикл робіт зі спостереження низки нових ефектів, зокрема, ефекту інтерференції каналів пружного та непружного розсіяння електронів середніх енергій, тощо, використання яких дозволило розробити нові методи діагностики поверхонь.
Багато сил та енергії віддавав науково-організаційній діяльності. Він був один з ініціаторів створення та Головою національної ради з питань науки та технологій, одним із засновників та першим Президентом Українського комітету радіосоюзу (відділення URSI). Находкін М.Г. 6 років був заступником Голови НТС Мінвузу УРСР (наказ № 323 від 12.09.78 р.), членом секції з Державних премій УРСР (з 1973), Головою секції та членом Президії (з 1981). Був членом Головної Ради ВАК Кабінету міністрів України (наказ № 1 від 04.01.1993 р.), Головою та членом експертної ради ВАК України. Находкін М.Г. був членом редколегії «Українського фізичного журналу», входив до складу редколегії «Журнала научной и прикладной фотографии и кинематографии» (АН СССР), збірників «Квантова електроніка», «Фізика напівпровідників і діелектриків», «Фізична електроніка», був у складі редколегії «Вісника Київського університету» (до 1990) та ін. Був засновником та протягом 20 років головним редактором міжвідомчого збірника «Фундаментальные основы оптической памяти и среды». Находкін М.Г. брав активну участь в написанні «Фізичної енциклопедії».
Був членом Наукових рад з фізичної електроніки та голографії АН СРСР, декількох секцій АН УРСР, науковим керівником декількох міжвідомчих наукових програм та програм Міносвіти України, членом Президії відділення фізики й астрономії НАНУ, членом ВАК України.
В науковому доробку Находкіна М.Г. більш ніж 350 наукових праць, 41 авторське свідоцтво. За участю Находкіна М.Г. та під його редакцією видано 3 монографії:
- «Лазеры в криминалистике и судебных экспертизах» под ред. Находкіна М.Г. та Гончаренко В.І. - К.: Вища школа, 1986, 31с.;
- «Атлас ионизационных спектров» под ред., д.ф.м.н. Находкіна М.Г.- К.: Вища школа. 1989, 232с.;
- «Ионизационная спектроскопия» під ред. академ. Находкіна М.Г. - К.: Либідь. 1992, 212 с.
(18.08.1985, с. Мурафа Шаргородського р-ну Вінницьк. обл.), кандидат фіз.-мат. наук, завідувач НДС теорії та моделювання плазмових процесів
Закінчив Український фізико-математичний ліцей (УФМЛ) при Київському національному університеті імені Тараса Шевченка та заочну школу при Московському фізико-технічному інституті (МФТІ) у 2002 році. У 2008 році закінчив радіофізичний факультет Київського національного університету імені Тараса Шевченка. У 2011 р. успішно закінчив аспірантуру при Київському національному університеті імені Тараса Шевченка за спеціальністю 01.04.08 – фізика плазми. У березні 2012 року захистив дисертацію «Властивості плазмово-рідинних систем зі зворотно-вихровим та поперечним потоками газу» на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук. Працював інженером І категорії у 2011-2012 роках, молодшим науковим співробітником у 2012-2014 роках, завідувачем НДС теорії та моделювання плазмових процесів з липня 2014 р. і дотепер.
Був призером міських, районних та обласних учнівських олімпіад з фізики. У 2011 році нагороджений дипломом за кращу доповідь на XIII Міжнародній молодіжній науково-практичній конференції «Людина і космос». У 2013 році нагороджений дипломом другого ступеня за кращу доповідь на міжнародній науковій конференції молодих вчених та аспірантів «ІЕФ-2013». У 2014 році нагороджений грамотою Президії Національної академії наук України за цикл наукових праць «Властивості динамічних плазмово-рідинних систем з вихровими потоками газу». У 2015 році був науковим керівником теми молодих учених №15БП052-02 «Розробка динамічних плазмово-рідинних систем з метою підвищення ефективності використання природних енергоресурсів», яка виконувалась на факультеті радіофізики, електроніки та комп’ютерних систем.
Наукові інтереси: плазмово-рідинні системи; обертовий ковзний розряд; плазмове та плазмово-каталітичне реформування рідких вуглеводнів у синтез-газ; оптична емісійна спектроскопія плазми; плазмове стимулювання горіння вуглеводнів; вплив плазми на поверхневий натяг рідини. Вперше розробив та дослідив плазмово-рідинну систему зі зворотно-вихровим потоком газу типу «торнадо» з рідким електродом. Показав, що плазма впливає на поверхневий натяг рідини. Разом зі своїм науковим керівником професором Черняком В.Я. розробив плазмовий конвертор рідкої вуглеводневої сировини у синтез-газ на основі плазмово-рідинної системи зі зворотно-вихровим потоком газу типу «торнадо» з рідким електродом. Досліджував підтримуване плазмою горіння вуглеводнів, зокрема, парафінів.
Недибалюк О.А. активно бере участь у навчальному процесі, проводить консультації з дипломних робіт.
Результати наукових досліджень Недибалюка О.А. опубліковані у 210 наукових працях, в тому числі 37-и статтях у закордонних та фахових виданнях України, 2-х колективних монографіях, 1-му патенті України на корисну модель. 24 статті включено до наукометричної бази Scopus, h-index 5.
Кандидат фіз.-мат. наук, старший науковий співробітник
Закінчила Київський університет ім. Т.Г.Шевченка. Захистила кандидатську дисертацію «Структура косоосаджених плівок» у 1973 р. (науковий керівник проф. Находкін М.Г.).
Після закінчення працювала в Інституті автоматики, а з 1962 р. - в університеті в ПНДЛ фізичної електроніки. Брала активну участь у створенні кафедри кріогенної та мікроелектроніки, з 1972 р. працювала старшим викладачем кафедри.
Читала курс «Фізична мікроелектроніка» для студентів вечірнього відділення. Була вченим секретарем кафедри із дня її створення до 1980 р.
Разом з Находкіним М.Г. розробила оригінальну методику дослідження перерізів плівок, що дало можливість зробити значний внесок у визначення механізмів формування конденсатів із стовпчастою та голкоподібною структурою.
В 1988 р. виїхала до США. Працює завідувачкою відділу в інформаційній службі Американського інституту фізики (AIP).
(1965 р.н.), кандидат фіз.-мат. наук, старший науковий співробітник
Закінчив у 1983 р. фіз.-мат. школу №4 м. Кременчук, в 1988 р. – радіофізичний факультет Київського державного університету ім. Т.Г. Шевченка. Кандидатську дисертацію захистив у 2000 р., (науковий керівник професор В.Я. Черняк). Як молодий спеціаліст з 1988 по 1993 р. працював в ІЯД НАН України інженером відділу фізики плазми. В 1993-1997 рр. працював молодшим науковим співробітником на кафедрі фізичної електроніки радіофізичного факультету Київського державного університету ім. Т.Г.Шевченка де одночасно проходив навчання в заочній аспірантурі. У 2000-2007 рр. змінив напрям діяльності на інженерне програмування в сфері баз даних. Брав безпосередню участь як системний аналітик в розробці та впровадженні трансатлантичної телекомунікаційної моніторингової системи «Telcordia™ Surveillance Manager» в BellSouth Telecommunications, Inc. штат Нью-Джерсі (США).
В 2007 році повернувся до наукової діяльності та продовжує працювати старшим науковим співробітником на кафедрі фізичної електроніки радіофізичного факультету.
Основні напрями наукової роботи пов’язані з експериментальним дослідженням динамічних плазмово-рідинних систем. Вивчення властивостей таких систем на предмет створення генераторів нерівноважної плазми, а також дослідженням особливостей протікання розрядів в дисперсних повітряно-крапельних середовищах. Виконав разом з проф. Черняком В.Я. та іншими цикл робіт з дослідження фізичних та плазмово-хімічних властивостей зони взаємодії плазми вторинного розряду з вільною поверхнею рідини. Показав наявність стрибка потенціалу простору, який зосереджений в тонкому шарі саме цієї зони. Отримані результати увійшли в матеріали енциклопедичної серії «ЕНЦИКЛОПЕДІЯ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНОЇ ПЛАЗМИ». Запропонував і дослідив разом з Черняком В. Я., проф. Трохимчуком А.К. (хімічний факультет КНУ імені Тараса Шевченка) та іншими стимульований плазмою механізм розчинення благородних металів у соляній кислоті, що може бути використане для підвищення економічної ефективності в золотодобувній промисловості. Разом з проф. Черняком В.Я., Юхименком В.В., Присяжнєвич І.В. виконував цикл робіт, пов’язаних з отриманням екологічно чистих енергоносіїв. Проводив дослідження умов та особливостей плазмового реформінгу рідкофазних вуглеводнів в синтез-газі. Разом з проф. Черняком В.Я. та інженером Юхименком В.В. розробив метод контролю наявності в повітрі домішок горючих та вибухонебезпечних речовин при значеннях концентрації нижчих за поріг самостійного горіння. Метод захищений відповідним патентом. Проводив дослідження в напряму застосування плазмових технологій для захисту навколишнього середовища. Зокрема стимульовану плазмою деструкцію високомолекулярних токсичних сполук, розчинених у воді.
В коло наукових інтересів входять також проблеми біомоніторингу пестицидів та токсичних фосфорорганічних і хлорорганічних високомолекулярних сполук методами хромато-мас-спектрометрії.
Автор понад 130 друкованих праць, у тому числі 26 наукових статей.
(09.03.1935, м. Полтава - 2006, м. Москва), доктор фіз.-мат. наук, професор
Закінчив Харківський державний університет в 1957 р. В 1958-65 р.р. працював у Інституті ядерної фізики СВ АН СРСР (Новосибірськ), в 1965-70 рр. - в Інституті фізики АН УРСР. З 1970 по 1974 р. був завідувачем відділу теорії плазми Інституту ядерних досліджень АН УРСР. У 1974-1979 рр. - начальник відділення НВО «Енергія» (Москва); 1979-1989 рр. - завідувач лабораторії, завідувач відділу Інституту земного магнетизма, іоносфери та поширення радіохвиль АН СРСР (ІЗМІРАН, Троїцьк, Росія). З 1989 по 2003 рік був директором ІЗМІРАН, керував міжнародними супутниковими проектами. Був академіком Російської академії природничих наук (з 1996), членом Міжнародної академії інформатизації, Міжнародної академії астронавтики, Нью-йоркської академії наук.
Заслужений діяч науки Російської Федерації (1996), лауреат Державної премії УРСР (1979), Державної премії СРСР (1987), Державних премій Росії. Співавтор відкриття СРСР №235 (пріоритет від 31.01.1962 р.) «Явище розпадної параметричної нестійкості хвиль у нелінійному хвильовому середовищі» (спільно з Р.З. Сагдєєвим).
Читав лекції з курсу «фізика плазми» на РФФ у кінці 60-х років.
(1932-1984), доктор фіз.-мат. наук, професор
Закінчив з відзнакою радіофізичний факультет у 1953 р. (перший випуск). З 1954 по 1958 р. - аспірант ІФ АН УРСР. З самого початку наукова діяльність Л.Л. Пасічника була нерозривно пов’язана з експериментальними дослідженнями в галузі фізики плазми в Інституті фізики АН УРСР (до 1970), а потім в Інституті ядерних досліджень АН УРСР. У 1958 р. захистив кандидатську, а в 1972 р. - докторську дисертації. У 1970 році Л.Л. Пасічник організував у ІЯД АН УРСР лабораторію фізики плазми, яка у 1973 році була перетворена у однойменний відділ. Для прискорення впровадження розробок відділу у народне господарство в 1979 р. з ініціативи Л.Л. Пасічника в складі СКТБ ІЯД АН УРСР був створений відділ плазмової технології, що працював під його безпосереднім науковим керівництвом.
У коло наукових інтересів Л.Л. Пасічника, який завжди гостро відчував усе нове, входили найбільш актуальні проблеми фізики плазми: взаємодія електронних потоків із плазмою, процеси переносу заряджених частинок у газі і плазмі, колективні явища у нерівноважній магнітоактивній плазмі, взаємодія ВЧ і НВЧ випромінювання з плазмою, фізика електричних розрядів різних типів, у тому числі електричного розряду у рідинних середовищах, одержання багатозарядних іонів та інші. Під його керівництвом і при особистій участі в ІЯД АН УРСР одержали розвиток прикладні дослідження в таких актуальних і перспективних напрямах плазмової технології, як плазмохімія, нанесення тонкоплівкових покриттів на поверхню з плазмової фази і т.п.
У більшості перерахованих областей Л.Л. Пасічником виконані піонерські дослідження й отримані яскраві, цікаві результати, що здобули визнання наукової громадськості. Результати його досліджень викладені в 2-х монографіях (Гурин А.А., Пасечник Л.Л., Попович А.С. Диффузия плазмы в магнитном поле. Киев: Наук. думка, 1979; Пасечник Л.Л., Попович А.С. Энергетика: Реальность и перспективы. Киев: Наукова думка, 1986) і більш ніж 90 наукових працях, захищені численними авторськими свідоцтвами.
Неоціненна роль Л.Л. Пасічника в справі виховання кадрів фізиків-плазмистів найвищої кваліфікації. Під його керівництвом та за його сприяння були підготовлені і захищені понад 20 кандидатських і 3 докторські дисертації.
Л.Л. Пасічник користувався великою повагою і авторитетом у колах наукової громадськості. Він входив до складу бюро Об’єднаної Наукової ради по комплексній проблемі «Фізика плазми» АН СРСР, Бюро Наукової ради АН СРСР по проблемі «Фізика низькотемпературної плазми», Бюро Наукової ради АН УРСР по проблемі «Фізика плазми». За плідну працю і активну участь у громадському житті Л.Л. Пасічник був нагороджений Грамотою Президії Верховної Ради УРСР, медалями.
(28.09.1961, м. Київ), кандидат фіз.-мат. наук, доцент
У 1978р. закінчив середню школу №130 м. Києва, в 1983 р. - радіофізичний факультет Київського державного університету імені Тараса Шевченка. У 1994 р. захистив кандидатську дисертацію (науковий керівник професор Чутов Юрій Іванович).
З 1983 р. працював інженером кафедри фізичної електроніки. З 1989р. (після закінчення аспірантури) – асистентом, а з 1995р. – доцентом кафедри фізичної електроніки.
Читав лекційні курси: «Пакети прикладних задач для ПЕОМ», «ЕОМ – експеримент та машинна обробка інформації», «Апаратне та програмне забезпечення ЕОМ», «Компьютери та програмне забезпечення Apple Macintosh». Проводив практичні заняття із загальної фізики та лабораторні роботи з обчислювальної фізики та комп’ютерної графіки, пакетів прикладних задач для ПЕОМ, моделювання задач з фізичної електроніки, фізичної електроніки. Керував курсовими та дипломними роботами студентів кафедри. Автор понад 20 друкованих праць.
З 1998 р. працює провідним спеціалістом з інформаційних технологій в іноземному представництві.
Область інтересів: радіо та звукотехніка, велоспорт, автомобілі.
(01.01.1930, с. Шевченкове Жовтневого р-ну, Миколаїв. обл. - 27.03.2008, м. Київ), доктор фіз.-мат. наук, професор
У 1952р. закінчив фізичний факультет Київського державного університету імені Тараса Шевченка по спеціальності «фізика» і почав працювати на кафедрі фізичної електроніки радіофізичного факультету цього ж університету спочатку асистентом, далі старшим викладачем, доцентом, а з 1979 р. професором.
В 1991 р. у зв’язку з виходом на пенсію був звільнений з посади професора і до 1999 р. працював провідним науковим співробітником проблемної науково-дослідної лабораторії фізичної електроніки.
У 1957р. під науковим керівництвом чл.-корр. АН України Н.Д. Моргуліса захистив кандидатську, а в 1978 р. докторську дисертації. Був одним з провідних викладачів кафедри. Читав курси лекцій «Фізична електроніка», «Основи фізики плазми», «Вакуумна електроніка та технологія». Під його керівництвом були створені 2 базових практикуми з фізичної електроніки та фізики плазми.
Г.Я. Пікус проводив величезну науково-дослідну роботу, був керівником наукових досліджень з напряму «Емісійна електроніка». Одним з найвидатніших результатів проведеної ним разом із співробітниками наукової роботи є виявлення невідомого раніше явища саморегуляції порушення стехіометрії в іонних кристалах бінарних напівпровідникових сполук, які нагріваються у відсутності рівноваги твердої фази з парою. Ця робота в 1997 р. була подана в якості заявки на відкриття. Результати його наукових досліджень дозволили розв’язати низку важливих задач електронного приладобудування, захищені авторськими свідоцтвами. Роботи, виконані під керівництвом Г.Я. Пікуса в рамках госпдоговірної тематики, широко впроваджені на підприємствах електронного приладобудування з вагомим економічним ефектом.
Автор більше 100 наукових праць. Під його науковим керівництвом захищено 6 кандидатських дисертацій (В.Ф. Шнюков, В.П. Тетеря, В.Ф. Шкурдода, Г.M. Тальнова, А.І.Кабін, Ю.Ф. Стефанов), а дуже багато випускників кафедри завдячують йому за керівництво дипломними роботами.
Г.Я. Пікус був членом спеціалізованої ради інституту фізики АН УРСР, членом проблемних рад Київського державного університету з фізичної електроніки та фізики напівпровідників.
(18.04.1943, м. Київ - 23.02.1991, м. Київ), кандидат фіз.-мат. наук, старший науковий співробітник
Закінчив у 1965 р. радіофізичний факультет Київського державного університету імені Тараса Шевченка, навчався в аспірантурі в 1965-68 рр. В 1974 р. захистив кандидатську дисертацію.
На радіофізичному факультеті з 1968 р. працював інженером, старшим інженером, молодшим та старшим науковим співробітником кафедри фізичної електроніки. До останніх днів життя був заступником завідувача кафедри з наукової роботи, Вченим секретарем секції «Термоемісійні перетворювачі енергії» Наукової ради АН УРСР з перетворення енергії.
Основний напрям наукової діяльності - елементарні процеси в низькотемпературній плазмі. Він один з авторів відкриття «Явище фоторезонансної цезієвої плазми». Вперше виявив ефективність процесів іон-атомного обміну в утворенні молекулярних іонів в плазмі лужних металів і визначив постійні швидкості цих процесів. Опублікував понад 40 наукованих праць.
(29.11.1927, м. Київ - 29.05.2014, м. Київ), доктор фіз.-мат. наук, професор, член-кореспондент НАН України
Закiнчив фізичний факультет Київського державного університету імені Тараса Шевченка в 1951 р. Захистив докторську дисертацію в 1970 р., має вчене звання професора (1985), почесне звання «Заслужений діяч науки і техніки України» (1998), був депутатом Московської районної ради м. Києва (1971-1982), членом Комітету народного контролю УРСР (1980-1990).
З 1951 р. працював в Інституті фізики АН УРСР (з 1991 р. – Інститут фізики НАН України) як аспірант, а після захисту кандидатської дисертації в 1955 р. – на посадах молодшого (1955-1960), старшого (1960-1970) наукового співробітника, завідувача відділу адсорбційних явищ (1970-2004), заступника директора з наукової роботи (1970-1987), головного наукового співробітника (2004-2014).
Нагороджений орденами Трудового Червоного Прапора (1985), «За заслуги» ІІІ ступеня (2008), Почесною медаллю (знаком) Міносвіти та науки «За наукові заслуги» і Золотою медаллю НАН України «За наукові досягнення» (2007), Грамотою Верховної Ради України (2009), є лауреатом Державної премії СРСР в галузі науки і техніки 1988 р. за цикл праць «Дослідження процесів термічної десорбції нейтральних та заряджених частинок на поверхні твердих тіл» і Державної премії України в галузі науки і техніки 2008 р. за цикл праць «Адсорбовані шари на поверхні перехідних металів: структура, електронні процеси, тертя, кінетика формування, каталіз». Удостоєний премії ім. А.Ф. Прихотько НАН України (2003).
Головні напрями наукових дослiджень:
- кінетика адсорбції газів;
- спектроскопія адсорбційних станів молекул газів;
- низькотемпературна адсорбція молекул газів;
- слабко зв’язані адсорбційні стани;
- квантові ефекти і фазові переходи при низькотемпературній адсорбції Н2 та D2;
- поверхневі реакції при взаємодії газів з поверхнями металів, формування оксидного наношару;
- адсорбційна взаємодія газових молекул з високодисперсними матеріалами.
Найважливіші наукові результати:
- Застосовано метод радіоактивних мічених атомів для дослідження дифузійних процесів в оксидних катодах і процесу конденсації атомів металу на поверхні металу. На прикладі конденсації атомів срібла на молібдені показано, що на атомночистій поверхні металу конденсація атомів металу відбувається із 100%-ною імовірністю на відміну від точки зору, яка існувала раніше (1955-1958).
- Запропоновано і реалізовано мас-спектрометричний різновид методу «спалаху» для дослідження адсорбції газів, в якому здійснюється реєстрація парціального тиску обраного газу, що значно підвищує надійність результатів адсорбційних досліджень (1959-1962).
- Вперше визначено істинний склад продуктів термодесорбції адсорбованого моношару кисню з поверхні W та Мо: десорбуються атомарний кисень і молекули оксидів, а не молекули О2 (1964-1967).
- Створено нову версію мас-спектрометричної методики дослідження адсорбції газів, в якій забезпечено формування молекулярного пучка газу, температурно програмована десорбція адсорбату, кількісне вимірювання імовірності прилипання молекул і ступеня покриття поверхні, підтримання температури зразка 5-2500 К та імітація умов відкритого космосу з виключенням спотворюючого впливу вторинних процесів на стінках вакуумної камери. Для реалізації методики побудовано унікальну надвисоковакуумну установку «чорна камера» (1985-1990)
- Досліджено низькотемпературну (до 5 К) адсорбцію водню та дейтерію на поверхні W та Мо і знайдено ряд слабкозв’язаних адсорбційних станів. Виявлено значний ізотопний ефект в кінетиці адсорбції водню та дейтерію, спричинений різницею їх квантових властивостей. Спостережено ознаки 2D конденсації адсорбату. Виявлено участь передадсорбційних станів в механізмі адсорбції водню (1997-2002).
- Досліджено формування оксидного наношару на поверхні Мо(110) і з’ясовано вплив температури підкладинки на ефективність цього процесу. Оптимальна температура визначається конкуренцією двох тенденцій: підвищенням імовірності утворення молекули оксиду із зростанням температури і зниженням імовірності утримання молекули на поверхні за тих же обставин (2005-2009).
- У співпраці з теоретиками показано, що монооксид вуглецю адсорбується на поверхні Мо в молекулярній, а не дисоціативній формі, як вважалося раніше. Цей результат важливий для пошуку ефективних знешкоджувачів викидів промисловості та автотранспорту – захисту довкілля (2008-2010).
Серед учнів Ю.Г. Птушинського – 2 доктори і 7 кандидатів наук. Він є співавтором близько 120 наукових праць.
(1939 р.н.), академік Міжнародної Академії наук прикладної радіоелектроніки (Україна, Росія, Беларусь)
В 1961 р. закінчив радіофізичний факультет Київського державного університету імені Тараса Шевченка (кафедра фізичної електроніки) і отримав направлення на роботу в інститут радіотехнічних проблем АН УРСР, якій пізніше отримав сучасну назву Державне підприємство Науково-дослідний інститут «Оріон» Міністерства промислової політики України.
В перші роки роботи в інституті займався розробкою електрон-оптичних систем для НВЧ приладів О-типу середньої та великої потужності.
З 1969 р. - керівник лабораторії, а з 1975 р. керівник створених ним відділу та науково-виробничого комплексу, що забезпечують дослідження, розробку і виробництво ефективних потужних термокатодів для НВЧ-приладів.
З 1989 р. - головний технолог, з 1993 р. – головний інженер, а з 1998 р. до виходу на пенсію у 2007 р. – директор НИИ «Оріон».
Основний напрям науково-технічної діяльності С.П. Ракітіна - питання підвищення надійності та довговічності ламп біжучої хвилі. Зокрема, дослідження фізико-хімічних та емісійних властивостей металевопористих катодів різних типів, розробка нових катодних матеріалів, методів експрес-контролю емісії та емісійної однорідності МПК. Ці роботи проводяться у тісній співпраці з радіофізичним факультетом Київського Національного університету імені Тараса Шевченка (Шнюков В.Ф., Михайловський Б.І., Лушкін О.Є., Телега В.М. та інші.)
Лауреат Державної премії Української РСР. С.П. Ракітін має понад 50 наукових праць, понад 20 патентів та авторських свідоцтв на винаходи. Він один з редакторів відомих монографій, що вийшли з друку у 2006 р. та у 2007 р.: «Полупроводниковые устройства диапазона миллиметровых волн» авторів Л.В. Касаткіна, В.Є. Чайки та «Электровакуумные приборы диапазона миллиметровых волн» авторів Л.В. Касаткіна, В.П. Рукіна та ін. відповідно.
(1927 р.н., м. Київ), доктор фіз.-мат. наук, професор
В роки Великої Вітчизняної війни – в евакуації в м. Казані. В 1949 р. закінчив кафедру електрофізики фізичного факультету (зараз – кафедра фізичної електроніки радіофізичного факультету) Київського університету. В 1949-1954 рр. працював інженером, потім вчителем у школі. У 1954-1960 рр. працював в Інституті фізики АН УРСР, у 1960-1966 рр. – завідувач відділу Інституту напівпровідників АН УРСР, у 1966-1992 рр. – завідувач відділу теорії напівпровідників в Інституті теоретичної фізики ім. Л.Д. Ландау АН СРСР (м. Москва). Одночасно в 1967-1991 рр. – професор МФТІ. З 1992 р. – в США. Зараз працює в Гарвардському університеті.
Кандидатську дисертацію захистив у 1956 р. в Інституті фізики АН УРСР, докторську – в 1963 р. у Фізико-технічному інституті ім. А.Ф.Іоффе АН СРСР (м. Ленінград). Професор з 1967 р.
Наукові дослідження присвячені феноменологічній теорії напівпровідників та напівпровідникових приладів, резонансним властивостям напівпровідників, оптичним властивостям та спектроскопії молекулярних кристалів. Передбачив резонансний ефект, що полягає в збудженні спінових переходів високочастотним електричним полем, встановив можливість існування нового типу зонної структури напівпровідників.
Його ім’я носить явище зняття виродження за спіном у твердих тілах (зокрема, в гетероструктурах) завдяки сильній спін-орбітальній взаємодії (ефект Рашби). Цей ефект відіграє важливу роль у поясненні внутрішнього спінового ефекту Холла.
Публікації: понад 200 статей у наукових журналах, 13 оглядових статей, 1 монографія, 1 збірник задач з фізики, понад 150 доповідей на конференціях.
Лауреат Ленінської премії (1966), премії ім. А.Ф.Іоффе АН СРСР (1987), премії ім. С.І. Пекара НАН України (2007), ряду американських академічних відзнак.
(29.01.1954, м. Київ - 24.08.2019)
Закінчив радіофізичний факультет Київського університету (вечірнє відділення) у 1980 р. На радіофізичному факультеті працював з 1971 р.: лаборантом, механіком, інженером. З 1978 року працював на посаді завідувача навчальної лабораторії радіоелектроніки. За час роботи на факультеті за його безпосередньої участі були розроблені та модернізовані більше двадцяти лабораторних робіт для студентів радіофізичного факультету, факультету кібернетики та Військового інституту. Брав участь у проведенні лабораторних робіт з курсу «Радіотехнічні кола та сигнали», є співавтором методичного посібника до лабораторних робіт з радіотехнічних кіл та сигналів. Рибець М.Б. був одним з найкращих на факультеті знавців практичної радіоелектроніки та сучасної радіовимірювальної апаратури.
(1935 р.н.), доктор фіз.-мат. наук, професор
Навчався на радіофізичному факультеті Київського державного університету ім. Т.Г. Шевченка з часу його заснування (1952). В 1957 р. закінчив кафедру фізичної електроніки з відзнакою. В 1957-70 рр. працював в Інституті фізики АН України і обіймав посади від інженера до старшого наукового співробітника. В 1965 р. захистив кандидатську дисертацію «Проникаюча плазма та фізичні основи її застосування для формування іонних пучків та квазінейтральних потоків прискорених іонів».
З 1970р. працював у відділі фізики плазми Інституту ядерних досліджень НАН України на посаді старшого, провідного наукового співробітника. В 1987 р. захистив докторську дисертацію «Хвильові процеси в плазмових системах пенінговського типу з несамостійним розрядом».
Є співавтором понад 100 друкованих праць та 4 винаходів. Основні напрями наукової роботи пов’язані з експериментальними дослідженнями процесів в низькотемпературній неоднорідній магнітоактивній плазмі, а саме:
- колективні процеси в плазмових системах пенінговського типу з несамостійним розрядом (разом з М.Д. Габовичем, В.Г. Наумовець, В.М. Слободяном, М.Є. Свавільним, О.В. Опанасенком, Д.В. Пальцем та ін.): енергетичний спектр електронів та механізм його формування; обертальна нестійкість плазми та її роль в забезпеченні існування розряду в сильних магнітних полях, вихорова структура збурень; нестабільність плазми, що витікає у вакуум, при відборі з неї електронів;
- поширення хвиль в неоднорідній плазмі з хвильовими бар’єрами. Разом з В.В. Усталовим і М.Є. Свавільним вперше експериментально виявив та дослідив явище квазіпрозорості хвильових бар’єрів в неоднорідній плазмі для хвиль Трайвелпіса-Гулда, передбачене теоретично В.М. Ораєвським та В.В. Лісітченком. Автори досліджень відзначені Державною премією УРСР (1979). Виявив разом з Д.В. Пальцем явище квазіпрозорості плазмового бар’єра за іншим механізмом, передбаченим теоретично С.С. Моісєєвим та М.С. Єрохіним, для хвиль верхньогібридної дисперсійної гілки слабкозамагніченої плазми. Спільно з науковцями радіофізичного факультету КНУ (І.О. Анісімов, С.М. Левитський та ін.) та Д.Б. Пальцем теоретично передбачено і експериментально виявлено та досліджено новий механізм квазіпрозорості хвильових бар’єрів для електромагнітних хвиль, що базується на інжекції крізь бар’єр пучка швидких електронів.
Багато уваги приділяв підготовці наукових кадрів. Під його керівництвом підготовлено і захищено 5 кандидатських дисертацій по спеціальності «фізика плазми». В 1992 р. йому присвоєне наукове звання професора. Брав активну участь в роботі спеціалізованої вченої ради на радіофізичному факультеті КНУ. Був членом секції з фізики плазми Вченої ради ІЯД НАН України.
Наукову діяльність поєднував з активною участю в роботі Профспілки працівників НАН України, пройшовши шлях від члена профкому інституту до члена Центрального комітету профспілки і заступника голови профспілки. Як делегат від профспілок м. Києва брав участь у роботі ХІХ з’їзду профспілок СРСР.
Нагороджений Почесними грамотами Президії НАН України та знаком «За професійні здобутки».
Доктор фіз.-мат. наук, старший науковий співробітник
Закінчила з відзнакою кафедру оптики твердого тіла фізичного факультету Київського університету імені Тараса Шевченка в 1977 р. Наукові ступені: кандидат фіз.-мат. наук (1983), доктор фіз.-мат. наук (2005). Вчені звання: старший науковий співробітник (1994), доцент (2005).
З 1977 р. працює в Інституті напівпровідників АН УРСР (тепер - Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України): 1977-1983 рр. – інженер, 1983-1989 рр. – молодший науковий співробітник, 1989-1992 рр. – науковий співробітник, 1992-2000 рр.– старший науковий співробітник, 2000-2003 рр. – докторант, 2003-2006 рр. – старший науковий співробітник, 2006 р.- тепер. час – провідний науковий співробітник.
Підготувала та читала спецкурси «Спектроскопія твердого тіла», «Фізика поверхні», «Оптичні властивості твердого тіла». Читає також лекції з загального курсу фізики та спецкурси в Національному університеті «Києво-Могилянська Академія».
Наукові нагороди: Медаль Академії Наук УРСР з премією для студентів вузів за цикл робіт з фізики рідких кристалів (1978); Стипендія для професорів Шведської фундації Wenner-Grenn (2001-2002 р).
напрями наукових досліджень: механізми випромінювальної рекомбінації в напівпровідникових матеріалах та структурах з пониженою розмірністю; оптичні дослідження спінових процесів у напівпровідникових матеріалах і наноструктурах; нелінійні оптичні явища в лужно-галоїдних кристалах, дослідження впливу ізовалентного легування на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках.
Опублікувала понад 100 наукових праць; має одне свідоцтво на винахід.
Основні публікації:
- Self-induced resonant optical rotation in crystals KCl:Li+// Solid State Commun., 1979, v.30, N3, p.133-136;
- Intensity dependence of the Fermi edge singularity in photoluminescence from modulation doped AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs heterostructures// Phys. Rev. B, 2000, v. 61, No.12, pp. 8359-8362;
- Electronic Transitions in Doped and Undoped Copper Germanate, Chemistry of Materials, 2001, V.13, N 3, p. 939-944;
- Temperature dependence of the GaNxP1-x band gap and effect of crossover// Appl. Phys. Lett., 2002, V. 81, N. 21, p. 3984-3986;
- Control of spin functionality in ZnMnSe-based structures: spin switching versus spin alignment// Appl. Phys. Lett., 2003, V. 82, N. 11, p. 1700-1702;
- Exciton spin relaxation in diluted magnetic semiconductor Zn1-xMnxSe/CdSe superlattices: effect of spin splitting and role of longitudinal optical phonons// Phys. Rev.B, 2003, V. 67, N. 12, p. 125313-125317;
- Phase separation in SiOx films annealed under enhanced hydrostatic pressure// phys. stat. sol. (b), 2008, V. 245, N. 12, P. 2756– 2760;
- Fluorescence sensing of biological tissue struc-tures using Mn-doped CdS nanoparticles as biomarkers// Ргос. of SРIE.-2009.- V. 7388.-p. 73880у-173880у-7;
- Evolution of CdS:Mn nanoparticle properties caused by pH of colloid solution and ultrasound irradiation// Physica Status Solidi C, 2010, V.7, No.6.- p. 1510-1512;
A new approach to grow C-doped GaN thick epitaxial layers// physica status solidi (c), 2011, V.7-8, pp. 2120–2122.